Plattform
ELMOS produziert in einer selbst entwickelten Hochvolt-CMOS Technologie. Durch einen modularen Prozessaufbau erreichen wir ein Höchstmaß an Zuverlässigkeit und Stabilität. Das gibt unseren Entwicklern viel Freiheit beim Design der ASICs. Zudem erhalten unsere Kunden nur die Module, die sie auch wirklich benötigen.
Unsere Stärke ist die Robustheit unserer Chips. Sie funktionieren selbst unter extremen Bedingungen, beispielsweise bei Umgebungstemperaturen zwischen minus 40°C und plus 175°C.
Prozessmodule und zusätzliche Optionen
- M-Flash: Verschiedene Flash-Elemente
- DIMOS: Treibertransistoren für Ströme bis 10 A mit niedrigem ON-Widerstand und einer Durchbruchspannung bis zu 120 V
- NVM: Nicht flüchtige, elektrisch schreib- und löschbare Speicherzellen (E²PROM)
- Capacitor: Spannungsunabhängige Poly-Aktiv-Kondensatoren
- Power-Metal: Zusätzliche Metallisierung für Leistungsanwendungen
- 2L-, 3L-, 4L-Metal: 2., 3. und 4. Metalllage für hochintegrierte Logik
Alleinstellungsmerkmale durch SOI-Technologie:
- Höchste Integration von Leistungselementen, analogen und digitalen Schaltungsteilen
- Erhöhte Robustheit gegenüber Hochtemperatur, Leckströmen und Latch-up
- Modularer Ansatz: Durchgängige Kompatibilität zum Basisprozess
- Erweiterte Designmöglichkeiten wie Multipotential und Integrierte Freilaufdioden etc.
- Zugang zu MEMS-Technologien: Oberflächenmikromechanik, Membran- und Mäandertechniken