SOI-기술

ELMOS는 강력한 고온 자동차 시스템-온-칩(systems-on-chip)에 대한 요구가 증가함에 따라 SOI 기술로 대응합니다. 이 공정은 대규모 통합 시스템에 가장 적합합니다. ELMOS의 SOI 기술은 최고 200°C 이상의 junction temperature를 목표로 합니다. 별도의 장치는 각각 자체적인 별도의 실리콘 섬에서 제조하여 latch-up 문제와 사이리스터나 트랜지스터 같은 완류 장치 그리고 회로 기판의 드레인과 소스 사이의 콘덴서와 관련된 문제를 방지할 수 있습니다.

고객 혜택

• 전력 반도체 장치, 아날로그 빌딩 블록, 디지털 빌딩 블록의 강력한 통합
• 고온, 누설 전류, latch-up에 대한 우수한 내구성
• 모듈식 접근방식 = 기초 공정 호환성
• 향상된 설계 유연성, 다중전위, 다중 접지 회로 기판 무전류 통합 다이오드 등.
• MEMS 기술 액세스, 표면 마이크로 공학, 멤브레인 및 미앤더 기법