SOIテクノロジー

堅牢性、高温、車載システムオンチップに対する必要性の高まりへのELMOSの答えは、SOI技術です。そのプロセスは、大規模な集積システムに最適です。ELMOSのSOIテクノロジーは、+200°Cまでのジャンクション温度を目標にしています。サイリスター、トランジスター、及び回路基板のドレインとソースの間のキャパシターの様な寄生デバイス装置は、ラッチアップの問題を防ぐ為に、それ自体の離れたシリコンアイランドに作られる事ができます。

お客様の利点

• パワー半導体デバイスの高統合、アナログ構成要素、デジタル構成要素
• 対高温、対漏電、対ラッチアップに対する優れた堅牢性
• モジュール的接近法 = 基本処理の互換性
• 高められた設計の柔軟性、多能性、多重接地の回路基板、電流の流れのない集積ダイオードなど
• MEMS テクノロジーのアクセス、表面マイクロ工学、メンブレンとミーンダー（蛇行）の技術